本发明属于激光微细加工领域。一种采用激光对　SU－8胶曝光光刻的方法，其特征在于：采用波长为355nm的　三倍频Nd　:　YAG激光器(1)作为对SU－8光敏胶进行曝光光刻　的光源，激光经均束后通过图案透光的掩模板(4)，再经聚焦物　镜(5)投影到SU－8光敏胶上进行曝光，生成SU－8胶掩模图　案结构。装置，其特征在于：尾部是以三倍频Nd　:　YAG激光器　(1)构成的发光源，其后是光刻匀束－投影系统，该系统包括沿　激光束前进方向上依次置有透镜(2)、波导管(3)、掩模板旋转台　(4)、聚焦物镜(5)和光刻工作台(6)。本发明由于激光为单色光，　与高压汞灯相比，可以避免其它波长的杂散光对SU－8光刻胶　的影响，也可以制作更小线宽的SU－8胶图形；在造价和运行　费用方面远小于同步辐射X射线。