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一种高电迁徙阻力的多层金属化结构及其设计 方法属于VLSI，ULSI及微波器件金属化结构的制造技术领域，其特征在于：在离SiO2绝缘层欧姆接触窗口的一个回流长度处在底层导电层Al-1％Si上开有一个尽可能小的缝隙，并给出了临界回流长度的计算公式。它利用了与电迁徙现象同时共存的回流效应来彻底消除电迁徙现象，以便从根本上解决多层金属化结构的电迁徙失效问题，从而提高了VLSI，ULSI及微波器件的寿命。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN95105950.5
Filing Date： 1995-06-15
Publication Date： 1996-12-18
Pub. No.： CN1138217A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 驳回
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