Abstract：
随着功率半导体器件的服役环境越来越恶劣，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体凭借其优异的高温性能成为行业应用主流。但目前尚缺乏与之相匹配的低成本、耐高温的互连材料，成为了制约行业发展的瓶颈。CuSn全金属间化合物（IMC）因其成本低、导电性好且满足低温连接、高温服役的特点被认为是理想的SiC芯片互连材料之一。针对功率半导体器件封装，对国内外近年来Cu-Sn全IMC接头的制备方法和可靠性进行了分析和综述，并讨论了目前亟待解决的问题和未来的发展趋势。
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Source ：
电源学报
Year： 2024
Issue： 03
Volume： 22
Page： 62-71
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