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一种应用于氢冷发电机漏氢监测装置中的新型氢敏半导体器件，是由集成在一个硅片上的氢气测量管，加热电阻和控温二极管组成。该器件共四根引线，漏极与栅极共用一根，源极、加热电阻R2端、控制二极管P极共用一根，其它为单独引出。该器件制造方法的特征在于，它是在磷蒸气保护下进行栅极氧化，用直流高压溅射氧化铝层和钯金属层，并对制好硅片进行高温退火处理。用该方法制得的器件，灵敏度高，氢气测量范围宽，器件稳定可靠。
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Type： 授权发明
Patent No.： CN88102659
Filing Date： 1988-05-11
Publication Date： 1991-01-30
Pub. No.： CN1011453B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 未缴年费
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