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本发明公开了一种基于瞬态漏源电流响应的CNTFET陷阱表征方法，属于半导体器件可靠性领域。包括：给定陷阱填充阶段的栅极填充电压区间；给定陷阱测试阶段的测试电压条件；给定陷阱测试阶段瞬态电流响应的测试时间范围及精度；给定陷阱能级及时间常数的测试范围。对CNTFET施加一定栅极填充电压以填充空穴陷阱，采集栅极和漏极测试电压下CNTFET漏源两端的瞬态电流响应曲线，并通过贝叶斯反卷积建立空穴陷阱的时间常数谱，提取CNTFET内部陷阱的时间常数参数。在多组温度条件下重复测试并获取陷阱时间常数的变化，利用阿伦尼乌斯公式计算CNTFET陷阱能级参数。本专利涉及方法操作简单便捷，可适用于多种来源CNTFET器件，可实现CNTFET陷阱参数的准确、无损、原位表征。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202411611879.3
Filing Date： 2024-11-13
Publication Date： 2025-02-18
Pub. No.： CN119471281A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 公开
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