Indexed by：
Abstract：
一种制备全Co‑Sn金属间化合物焊接层/焊点的方法，属于封装领域。方法：在金属基底制备Co基镀层并在两组Co基镀层之间再制备Sn层形成金属基底/Co基镀层/Sn/Co基镀层/金属基底的结构，后加热至Sn的熔点以上并保温，即可制备出全Co‑Sn金属间化合物焊接层/焊点样品(金属基底/Co基镀层/Co‑Sn金属间化合物/Co基镀层/金属基底)。本发明利用Co原子在液态Sn焊料中快速扩散和Co‑Sn金属间化合物快速生长优势，可在短时间内制备大厚度全Co‑Sn金属间化合物焊接层/焊点并满足低温连接、高温服役的需求，可广泛用于第三代半导体功率芯片的封装以及晶圆凸点键合等先进封装工艺中。
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Patent Info ：
Type： 发明申请
Patent No.： CN202411303219.9
Filing Date： 2024-09-18
Publication Date： 2024-12-24
Pub. No.： CN119181651A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 实质审查
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 1
Affiliated Colleges：
