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本发明提供了一种辐射加固的IGBT结构及电机驱动系统。与传统IGBT结构相比，在N‑漂移区和FS场截止层之间引入掺杂浓度不同且并排的N+缓冲层和N++缓冲层；多晶硅栅改进为分裂栅，并在其下方引入中央P阱区；在左侧P阱区、右侧P阱区及中央P阱区下方分别引入P阱缓冲层。所引入的N+缓冲层和N++缓冲层，N+缓冲层和N++缓冲层能够有效改善IGBT背面电场分布，抑制N‑漂移区和FS场截止区组成的高低结发生雪崩击穿；而分裂栅和中央P阱的存在有效抑制栅氧化层中电场的集中；P阱缓冲层有助于加快抽取IGBT体内由辐射粒子轰击所产生的空穴，迅速流出体内。本发明对单粒子烧毁和单粒子栅穿均有很好的抑制作用。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202411205780.3
Filing Date： 2024-08-30
Publication Date： 2025-01-10
Pub. No.： CN119297176A
Applicants： 北京工业大学 ;;国网新疆电力有限公司电力科学研究院
Legal Status： 实质审查
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