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本发明公开了一种三维、两维GaN层多次交替结构改善非极性GaN材料质量的外延生长方法，属于GaN材料外延技术领域，本发明利用金属有机物化学气相沉积技术，外延结构从下向上依次为r面蓝宝石衬底、低温GaN成核层以及交替层叠生长的高压、高V/III比生长条件生长的三维GaN层，低压、低V/III比生长条件生长的二维GaN层；交替生长数个周期，本发明将降低位错与改善表面形貌两方面改进作为整体考虑，利用高压、高V/III比条件生长的三维GaN层来减少位错，利用低压、低V/III比生长条件生长的二维GaN层来改善材料的表面形貌，能够达到既降低位错密度又改进表面形貌提高非极性GaN材料质量。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202410919778.6
Filing Date： 2024-07-10
Publication Date： 2024-10-29
Pub. No.： CN118854442A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 实质审查
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30 Days PV： 2
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