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一种提升硅化合物异质结太阳电池效率的方法，属于太阳能电池领域。将V:MoOX作为硅化合物异质结太阳电池入光面的空穴传输层，得到的器件从上到下依次设置为：金属Ag电极、ITO透明电极层、V:MoOX空穴传输层、i‑a‑Si:H层、n‑c‑Si层、i‑a‑Si:H层、n‑a‑Si:H层、ITO透明电极层、金属Ag电极。由于V:MoOX的宽带隙、高功函，可以减小太阳电池的寄生吸收和光损耗，并增大空穴传输层对空穴的选择性抽取能力，最终使得太阳电池的短路电流密度(JSC)、填充系数(FF)、开路电压(VOC)、转化效率(PCE)均有所提高。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202410802975.X
Filing Date： 2024-06-20
Publication Date： 2024-10-01
Pub. No.： CN118738169A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 实质审查
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