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本发明提出了一种应用于Sigma‑Delta ADC的改进型栅压自举开关，包括交叉耦合结构的时钟电压倍乘电路，复用的CMOS传输门。本发明利用复用CMOS传输门根据输入信号大小NMOS管与PMOS管交替开关，使得栅压自举开关可以满足大的输入摆幅，还能提高栅压自举开关的非线性，同时使得采样开关不受衬偏效应的影响，防止PN结正偏。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202410609782.2
Filing Date： 2024-05-16
Publication Date： 2024-08-30
Pub. No.： CN118573161A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 实质审查
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