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本发明公开了一种基于瞬态电流变化的SiC MOSFET器件陷阱表征方法，该方法基于贝叶斯迭代反卷积的时间常数提取方法，分析时间常数和峰值谱变化，实现SiC MOSFET器件陷阱的特性表征。所述表征方法的过程包括：瞬态漏极电流采集、时间常数提取、陷阱激活能计算以及陷阱定位。SiC MOSFET器件深能级陷阱俘获电子时会引起漏极电流的下降，释放电子时会引起漏极电流增加，瞬态电流变化包含了陷阱信息，由此通过瞬态电流获取陷阱的方法是一种较好的方法。基于该关系，通过采集器件在不同温度下的漏极电流瞬态变化曲线，利用贝叶斯迭代反卷积方法进行时间常数提取，并结合阿伦尼斯方程计算获得陷阱激活能，从而实现对器件陷阱信息的表征。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202410113784.2
Filing Date： 2024-01-26
Publication Date： 2024-04-19
Pub. No.： CN117907786A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 实质审查
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