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一种提高光响应度的石墨烯MOS型探测器及制备方法，属于半导体光电集成领域。只需要在制备好的石墨烯探测器表面溅射一层具有特定尺寸和距离的金圆盘表面结构就可以提升器件光响应度的方法。金圆盘通过光刻和射频溅射获得，横向间距从石墨烯中央开始向两端逐渐增大，纵向间距固定。当石墨烯上方有电磁波入射时，金圆盘产生等离激元效应，这时通过石墨烯下方的分裂栅极调控石墨烯费米能级，金圆盘和栅压可以协同激发石墨烯中的热载流子并使其定向移动，产生超高增益的光电流。新方法的优点是在保证石墨烯探测器与CMOS工艺兼容，可应用于硅基光电集成电路的前提下提高了石墨烯探测器的性能，并且工艺无需过多改动，仅需要额外添加一步工艺。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202311561578.X
Filing Date： 2023-11-21
Publication Date： 2024-03-08
Pub. No.： CN117673189A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 实质审查
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