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本发明公开了一种基于磁滞回线的磁声发射传感器优化设计方法，该方法适用于磁声发射传感器的优化设计，属于无损检测领域。首先建立二维磁声发射传感器励磁有限元模型，在模型中定义三种磁滞特征不同的待测材料。利用矫顽力、最大微分磁导率与剩余磁感应强度三种磁滞回线特征参量，定义磁声发射传感器性能评价指标。确定优化因素并制定正交试验方案，依据正交试验方案逐一求解有限元模型，计算传感器性能评价指标值。在多种传感器性能评价指标的基础上，利用模糊理论建立传感器性能综合评价指标，以该指标为目标函数，利用遗传算法求解出待优化因素的最佳组合。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN202310564358.6
Filing Date： 2023-05-18
Publication Date： 2024-04-02
Pub. No.： CN117807819A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 实质审查
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