Organic　thin　film　field　effect　transistor　of　pentacene　is　fabricated　through　evaporating　heated　pentacene　powder　in　high　vacuum.　Being　a　semiconductor　layer,　pentacene　thin　film　is　deposited　on　p-type　silicon　(100)　that　has　a　silicon　dioxide　layer.　The　thickness　of　pentacene　thin　film　is　70　nm.　The　thickness　of　Au　electrodes　including　source,　drain　and　gate　is　50　nm.　As　an　insulating　layer,　the　silicon　dioxide　is　300　nm　thick.　The　channel　in　the　pentacene　film　field　effect　transistor　is　15　μm　long,　and　190　μm　wide.　AFM　is　used　to　characterize　the　surface　morphology　of　the　pentacene　thin　film.　The　influence　of　deposition　rate　of　the　pentacene　film　on　the　electric　characteristics　of　pentacene　field　effect　transistor　is　studied.　At　a　deposition　rate　of　0.24　and　1.36　nm/min,　the　mobility　of　the　field　effect　transistor　is　2.7　×　10-4　and　2.2　×　10-6cm2/(V·s)　respectively.