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本发明公开了一种带硬件保护的N‑MOS和P‑MOS构成的永磁同步电机驱动电路，本发明采用的技术方案为一种新型的永磁同步电机驱动电路控制三相永磁同步电机工作，使用分立元件驱动N‑MOSFET、P‑MOSFET，包括MCU运算控制模块(1)、高速光耦隔离模块(2)、反向输出模块(3)、N‑MOSFET控制模块(4)、N‑MOSFET死区产生模块(5)、P‑MOSFET控制模块(6)、P‑MOSFET死区产生模块(7)。中低档MCU输出一路PWM波，经过驱动电路后能够转换为两路互补对称带死区的PWM波，驱动功率元件控制永磁同步运转。这种驱动方式不使用功率驱动芯片、降低电路成本、节省中低档MCU的IO资源、缓解MCU运算负担、产生的死区时间防止上下桥臂同时导通击穿电路。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201911175435.9
Filing Date： 2019-11-26
Publication Date： 2021-06-04
Pub. No.： CN110868049B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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