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学者姓名：徐晨
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| GB/T 7714 | Chen, Su , Xu, Chong , Li, Shuang . Earthquake Engineering Technology and Its Application [J]. | SUSTAINABILITY , 2024 , 16 (15) . |
| MLA | Chen, Su 等. "Earthquake Engineering Technology and Its Application" . | SUSTAINABILITY 16 . 15 (2024) . |
| APA | Chen, Su , Xu, Chong , Li, Shuang . Earthquake Engineering Technology and Its Application . | SUSTAINABILITY , 2024 , 16 (15) . |
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Abstract ：
The use of metal foil catalysts in the chemical vapor deposition of graphene films makes graphene transfer an ineluctable part of graphene device fabrication, which greatly limits industrialization. Here, an oxide phase-change material (V2O5) is found to have the same catalytic effect on graphene growth as conventional metals. A uniform large-area graphene film can be obtained on a 10 nm V2O5 film. Density functional theory is used to quantitatively analyze the catalytic effect of V2O5. Due to the high resistance property of V2O5 at room temperature, the obtained graphene can be directly used in devices with V2O5 as an intercalation layer. A wafer-scale graphene-V2O5-Si (GVS) Schottky photodetector array is successfully fabricated. When illuminated by a 792 nm laser, the responsivity of the photodetector can reach 266 mA W-1 at 0 V bias and 420 mA W-1 at 2 V. The transfer-free device fabrication process enables high feasibility for industrialization.
Keyword ：
graphene graphene phase-materials phase-materials density functional theory (DFT) calculations density functional theory (DFT) calculations in-suit growth in-suit growth
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| GB/T 7714 | Hu, Liangchen , Dong, Yibo , Xie, Yiyang et al. In Situ Growth of Graphene Catalyzed by a Phase-Change Material at 400 degrees C for Wafer-Scale Optoelectronic Device Application [J]. | SMALL , 2023 , 19 (14) . |
| MLA | Hu, Liangchen et al. "In Situ Growth of Graphene Catalyzed by a Phase-Change Material at 400 degrees C for Wafer-Scale Optoelectronic Device Application" . | SMALL 19 . 14 (2023) . |
| APA | Hu, Liangchen , Dong, Yibo , Xie, Yiyang , Qian, Fengsong , Chang, Pengying , Fan, Mengqi et al. In Situ Growth of Graphene Catalyzed by a Phase-Change Material at 400 degrees C for Wafer-Scale Optoelectronic Device Application . | SMALL , 2023 , 19 (14) . |
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Abstract ：
热电堆红外探测器主要是由热电偶为基本单元所构成的一种探测器件,因其原理简单、工作时不需要冷却设备等优势已被广泛应用在生产生活的各个方面.然而,传统热电堆器件所选用材料的吸收率通常处在较低水平,并且大部分与微加工工艺不兼容.在此,本文设计提出了一种带有垂直石墨烯(vertical graphene,VG)的金属热电堆红外探测器.通过等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)生长VG并将其保留在器件的热结处,从而实现热电堆红外探测器的宽带和高响应特性.这种复合结构的探测器在波长792 nm的情况下,室温响应率最高可达1.53 V/W,与没有VG的热电堆红外探测器相比,前后响应结果可增加28倍左右,响应时间缩短至0.8 ms左右.该制备过程与微加工工艺相兼容,同时整体提升了器件性能,并适合于大规模生产.此外,利用表面等离激元共振的原理将VG与金属纳米颗粒相互结合,发现在前后同等条件下材料的光吸收有明显的增强,所产生的热电势响应最高可增6倍.以上结果表明,VG在多种应用中具有巨大的潜力,包括光电检测、微发电装置等,该技术为制备高性能热电堆红外探测器和其他传感器件提供了一种新的途径.
Keyword ：
表面等离激元共振 表面等离激元共振 垂直石墨烯 垂直石墨烯 热电堆 热电堆 红外探测器 红外探测器
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| GB/T 7714 | 李凯 , 孙捷 , 杜在发 et al. 带有垂直石墨烯的金属热电堆红外探测器 [J]. | 物理学报 , 2023 , 72 (3) : 288-298 . |
| MLA | 李凯 et al. "带有垂直石墨烯的金属热电堆红外探测器" . | 物理学报 72 . 3 (2023) : 288-298 . |
| APA | 李凯 , 孙捷 , 杜在发 , 钱峰松 , 唐鹏昊 , 梅宇 et al. 带有垂直石墨烯的金属热电堆红外探测器 . | 物理学报 , 2023 , 72 (3) , 288-298 . |
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Abstract ：
本发明公开了一种片上生成矢量光束的垂直腔面发射激光器及制作方法，涉及微纳结构及半导体激光器技术领域，其结构主要包括欧姆接触保护电极、周期交替生长的上分布布拉格反射镜、电流限制氧化孔、氧化限制层；有源区、周期性交替生长的下分布布拉格反射镜、GaAs衬底层、P型金属电极层、钝化层、BCB固化绝缘层、N型金属电极层、出光孔和超构表面。本发明通过常规的半导体加工工艺，能够容易地在垂直腔面发射激光器出光端面集成双折射方形纳米柱结构，在芯片级上实现矢量光束的生成与操控；所开发的方法为VCSEL平台实现定制矢量光束铺平了道路，解决了传统的矢量光束生成装置结构复杂，体积大、效率低、不易操作等问题。
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| GB/T 7714 | 解意洋 , 傅攀 , 徐晨 et al. 一种片上生成矢量光束的垂直腔面发射激光器及制作方法 : CN202310198072.0[P]. | 2023-03-03 . |
| MLA | 解意洋 et al. "一种片上生成矢量光束的垂直腔面发射激光器及制作方法" : CN202310198072.0. | 2023-03-03 . |
| APA | 解意洋 , 傅攀 , 徐晨 , 常鹏鹰 , 包蕾 , 吴博 et al. 一种片上生成矢量光束的垂直腔面发射激光器及制作方法 : CN202310198072.0. | 2023-03-03 . |
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Abstract ：
本发明提供了一种可转移、复用性超薄光学超构表面的制备方法，包括：获取衬底，并利用第一生长技术在衬底表面生长牺牲层和微米级薄层；对微米级薄层进行外延，得到微米级薄层的外延结构；利用第二生长技术在外延结构的表面成长应力层，得到应力层‑微米级薄层‑牺牲层‑衬底的结构；腐蚀牺牲层，得到应力层‑微米级薄层‑衬底的结构；利用应力层产生的应力将微米级薄层与衬底分离，得到应力层‑微米级薄层结构和衬底；去除应力层，得到微米级薄层和衬底；对微米级薄层进行处理，得到超薄超构表面。本发明解决了现有技术中集成式超构表面有着灵活性差、加工成本高、加工后不可分离、不可重复利用的问题。
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| GB/T 7714 | 解意洋 , 解佳洋 , 邓军 et al. 一种可转移、复用性超薄光学超构表面的制备方法 : CN202310198085.8[P]. | 2023-03-03 . |
| MLA | 解意洋 et al. "一种可转移、复用性超薄光学超构表面的制备方法" : CN202310198085.8. | 2023-03-03 . |
| APA | 解意洋 , 解佳洋 , 邓军 , 徐晨 , 胡良臣 . 一种可转移、复用性超薄光学超构表面的制备方法 : CN202310198085.8. | 2023-03-03 . |
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Abstract ：
本发明提供了一种实现空间光束片上生成的边发射激光器的制备方法，包括：获取隧道级联半导体激光器外延结构，并根据所述隧道级联半导体激光器外延结构进行封装，得到大光腔边发射激光器；利用FDTD单元参数扫描及空间光场分布函数结合MATLAB计算得到所述集成在大光腔边发射激光器上的超构表面相位分布，并选取不同尺寸的纳米柱生成相应结构版图；根据所述相应结构版图，利用聚焦离子束工艺在所述大光腔边发射激光器出光的有源区端面刻蚀超构表面，构建超构表面边发射激光器。本发明解决了现有技术中激光器存在输出功率较小和发散角过大，光束质量低，功能单一的问题。
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| GB/T 7714 | 解意洋 , 徐晨 , 傅攀 et al. 一种实现空间光束片上生成的边发射激光器 : CN202310198084.3[P]. | 2023-03-03 . |
| MLA | 解意洋 et al. "一种实现空间光束片上生成的边发射激光器" : CN202310198084.3. | 2023-03-03 . |
| APA | 解意洋 , 徐晨 , 傅攀 , 李建军 , 常鹏鹰 , 包蕾 et al. 一种实现空间光束片上生成的边发射激光器 : CN202310198084.3. | 2023-03-03 . |
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Abstract ：
本发明提供了一种携带多通道轨道角动量的光束生成芯片的制备方法，包括：获取双面抛光的倒装980nm垂直腔面发射激光器的外延结构；基于垂直腔面发射激光器二维平面易于集成特性，通过电子束曝光和ICP刻蚀工艺在所述外延结构的衬底端面集成偏振不敏感的圆形纳米柱结构，以控制所述垂直腔面发射激光器的相位。本发明能够实现片上OAM模式的定向生成和携带多通道OAM模式的光束生成，解决传统的OAM生成装置结构复杂，体积大、可靠性低、不易操作等问题。
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| GB/T 7714 | 解意洋 , 傅攀 , 徐晨 et al. 一种携带多通道轨道角动量的光束生成芯片的制备方法 : CN202310198087.7[P]. | 2023-03-03 . |
| MLA | 解意洋 et al. "一种携带多通道轨道角动量的光束生成芯片的制备方法" : CN202310198087.7. | 2023-03-03 . |
| APA | 解意洋 , 傅攀 , 徐晨 , 常鹏鹰 , 包蕾 , 吴博 et al. 一种携带多通道轨道角动量的光束生成芯片的制备方法 : CN202310198087.7. | 2023-03-03 . |
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Abstract ：
本发明提供了一种发射光可调控的超表面集成式LED装置及制备方法，该装置由下至上包括：第一衬底、键合金属层、第一反射层、外延片、电极层、第二反射层、间隔层及超结构单元层，所述第一反射层为金属反射层，所述第二反射层为布拉格反射镜；第一衬底、键合金属层、第一反射层、外延片、电极层、第二反射层、间隔层及超结构单元层均垂直于从所述LED发射的光的传播平面。本发明提供的一种发射光可调控的超表面集成式LED装置及制备方法，具有更大的空间相干性，结构紧凑，加工工艺简单，产品良率与可靠性提升，能调控LED出射光的特性，可扩展多功能，具有广阔的应用前景。
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| GB/T 7714 | 解意洋 , 赵晓瑞 , 徐晨 . 一种发射光可调控的超表面集成式LED装置及制备方法 : CN202310198063.1[P]. | 2023-03-03 . |
| MLA | 解意洋 et al. "一种发射光可调控的超表面集成式LED装置及制备方法" : CN202310198063.1. | 2023-03-03 . |
| APA | 解意洋 , 赵晓瑞 , 徐晨 . 一种发射光可调控的超表面集成式LED装置及制备方法 : CN202310198063.1. | 2023-03-03 . |
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Abstract ：
Direct chemical vapor deposition of graphene on semiconductors and insulators provides high feasibility for integration of graphene devices and semiconductor electronics. However, the current methods typically rely on high temperatures (>1000 degrees C), which can damage the substrates. Here, a growth method for high-quality large-area graphene at 300 degrees C is introduced. A multizone furnace with gradient temperature control was designed according to a computational fluid dynamics model. The crucial roles of the chamber pressure in the film continuity and hydrogen composition in the graphene defect density at low temperature were revealed. As a result, a uniform graphene film with the Raman ratio ID/IG = 0.08 was obtained. Furthermore, a technique of laminating single-crystal Cu foil as a sacrificial layer on the substrate was proposed to realize transfer-free growth, and a wafer-scale graphene transistor array was demonstrated with good performance consistency, which paves the way for mass fabrication of graphene devices.
Keyword ：
wafer scale wafer scale transistor array transistor array low temperature low temperature growth growth graphene graphene gradient temperature gradient temperature transfer-free transfer-free
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| GB/T 7714 | Qian, Fengsong , Deng, Jun , Dong, Yibo et al. Transfer-Free CVD Growth of High-Quality Wafer-Scale Graphene at 300 degrees C for Device Mass Fabrication [J]. | ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES , 2022 , 14 (47) : 53174-53182 . |
| MLA | Qian, Fengsong et al. "Transfer-Free CVD Growth of High-Quality Wafer-Scale Graphene at 300 degrees C for Device Mass Fabrication" . | ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES 14 . 47 (2022) : 53174-53182 . |
| APA | Qian, Fengsong , Deng, Jun , Dong, Yibo , Xu, Chen , Hu, Liangchen , Fu, Guosheng et al. Transfer-Free CVD Growth of High-Quality Wafer-Scale Graphene at 300 degrees C for Device Mass Fabrication . | ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES , 2022 , 14 (47) , 53174-53182 . |
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Abstract ：
本发明公开了一种覆盖parylene提升传感芯片灵敏度及重复利用的方法，采用nacl溶液进行实验测试，通过生长parylene前后分别测试两次，通过比较两次数据可以得到生长parylene对传感芯片的影响，并且，在生长parylene后的VCSEL传感芯片上，通过测试去除parylene前后的数据对比可以得到parylene是否完全去除，同理，在生长parylene的传感芯片上测试其他生物试剂，也可以通过去除parylene达到重复利用。该方法操作简单，成本低，有很大的应用潜力。
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| GB/T 7714 | 解意洋 , 姜文慧 , 徐晨 et al. 一种覆盖parylene提升传感芯片灵敏度及重复利用的方法 : CN202211691923.7[P]. | 2022-12-27 . |
| MLA | 解意洋 et al. "一种覆盖parylene提升传感芯片灵敏度及重复利用的方法" : CN202211691923.7. | 2022-12-27 . |
| APA | 解意洋 , 姜文慧 , 徐晨 , 胡良臣 , 常鹏鹰 , 包蕾 . 一种覆盖parylene提升传感芯片灵敏度及重复利用的方法 : CN202211691923.7. | 2022-12-27 . |
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