Indexed by：
Abstract：
垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)限制电流流入的方式有许多种,其中氧化孔径(电流注入孔径)限制法制备工艺简单,成为普遍选用的方式。模拟结果显示,对于氧化孔径限制VCSEL,在氧化孔径边缘处电流密度最大。模拟P型电极内环半径对注入孔径电流密度的影响,结果表明P型电极内环半径越大,器件氧化孔径边缘的电流密度越大,对应的器件工作电压越大,输出光功率越低。综合考虑器件结构的光场分布和发散角分布,计算器件表面光斑面积,得到P型电极内环半径的最优值为8μm。
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
激光与光电子学进展
Year： 2017
Issue： 10
Volume： 54
Page： 275-279
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 4
Affiliated Colleges：
