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采用低压金属有机化合物气相外延 (L P- MOCVD) ,制备了顶端发射氧化物限制、内腔接触结构 980 nm的垂直腔面发射激光器 .应用了选择氧化和自对准工艺来实现电流限制 .在 2 8m A脉冲电流驱动下 ,器件的输出功率为10 .1m W,斜率效率为 0 .4 6 2 m W/ m A.脉冲工作下 ,最高输出功率为 13.1m W.室温连续工作下 ,输出功率为7.1m W,发射波长为 974 nm ,光谱半宽为 0 .6 nm.研究了氧化孔径对阈值电流和微分电阻的影响 ,结果表明较小的氧化孔径可以获得低的阈值电流 .
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Source ：
半导体学报
Year： 2004
Issue： 03
Page： 262-265
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