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本文通过热氧化法制备了CuO纳米线，利用X射线衍射和扫描电子显微镜，研究了温度和冷却方式对CuO纳米线生长的影响。600℃空冷样品只长出了少量CuO纳米线，600℃炉冷样品上观察到了大量CuO纳米线，400℃空冷样品上也生长了大量CuO纳米线，表明CuO纳米线的实际生长温度不高于400℃。温度比较高时，以CuO层的生长为主；在温度比较低时，以CuO纳米线的生长为主。这一结果可以通过铜离子在氧化层中的扩散过程来理解。
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电子显微学报
ISSN： 1000-6281
Year： 2016
Issue： 5
Volume： 35
Page： 399-403
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