MOCVD生长双波长发光二极管 - Details

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韩军 (韩军.) | 崔明 (崔明.) (Scholars：崔明) | 李建军 (李建军.) | 邓军 (邓军.) | 邢艳辉 (邢艳辉.)

Indexed by：

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Abstract：

根据白光照明和可变换波长的光通信中对单芯片双波长发光二极管(LED)要求,在分析了反向偏置隧道结性质的基础上,设计了用反向偏置隧道结连接两个有源区的单芯片双波长LED,用金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)在GaAs衬底上一次外延生长了同时发射两种波长的LED,其包含一个A1GaInP量子阱有源区和一个GaInP量子阱有源区,两个有源区由隧道结连接;通过后工艺制备了双波长LED器件,在20　mA电流注入下,可以同时发射626　nm和639　nm两种波长,光强是127　mcd,正向电压是4.17V.与传统的单有源区LED进行对比表明,双波长LED有较强的光强;对比单有源区LED的2.08　V正向电压,考虑到双波长LED包含隧道结和两个有源区,隧道结上的压降很小.

Keyword：

双波长金属有机化学气相沉积(MOCVD) 发光二极管(LED) 隧道结

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[ 1 ] [韩军]北京工业大学
[ 2 ] [崔明]北京工业大学
[ 3 ] [李建军]北京工业大学
[ 4 ] [邓军]北京工业大学
[ 5 ] [邢艳辉]北京工业大学

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Source ：

光电子·激光

ISSN： 1005-0086

Year： 2014

Issue： 6

Volume： 25

Page： 1035-1038

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