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采用模拟计算,结合实验数据,初步设计了通过GaAs隧道结联接的650 nm/780 nm双波长多量子阱(MQW)激光器.分别对650 nm、780 nmMQW有源区部分进行模拟,计算得出激光器的横向模式特性、近场分布和远场发散角.对激光器折射率导引结构侧向模式进行了定性分析,得出实现理想侧模的条件.
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Source ：
光电子·激光
ISSN： 1005-0086
Year： 2002
Issue： 5
Volume： 13
Page： 456-459
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