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模拟计算了光的入射角度与反射率的关系,当光的入射角度大于23°时,发生全反射,无论是否在器件表面生长增透膜,这时的光都无法从器件顶部出射表面提取出来.研究了使用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在已经制备了n电极和P电极的GaN基LED上制备钝化膜,分析了SiON和SiNx膜沉积对于器件的光输出功率的影响.通过实验证明,在器件上沉积SiON后,光输出功率增加.
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固体电子学研究与进展
ISSN： 1000-3819
Year： 2007
Issue： 4
Volume： 27
Page： 558-561
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