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张跃宗 (张跃宗.) | 冯士维 (冯士维.) (Scholars:冯士维) | 张弓长 (张弓长.) | 王承栋 (王承栋.)

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CQVIP

Abstract:

主要对n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触在高温下(500℃)的特性进行了研究,发现在所测温度范围内,接触电阻率随测量温度的升高呈现出增加的趋势,接触开始退化.同时分析研究了在不同高温、不同时间范围内(24 h)欧姆接触高温存储前后的变化,分析发现对于温度不高于500℃、在24 h内存储温度升高,接触电阻率增加.当样品被施加500℃,24 h的热应力后,其接触电阻率表现出不可恢复性增加.通过X射线衍射能谱分析了高温前后欧姆接触内部结构的变化机理,经过500℃的高温后,Ti层原子穿过Al层与Ni层原子发生固相反应.

Keyword:

接触电阻率 欧姆接触 X射线衍射能谱

Author Community:

  • [ 1 ] [张跃宗]北京工业大学
  • [ 2 ] [冯士维]北京工业大学
  • [ 3 ] [张弓长]北京工业大学
  • [ 4 ] [王承栋]北京工业大学

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Source :

微纳电子技术

ISSN: 1671-4776

Year: 2007

Issue: 7

Volume: 44

Page: 72-75

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