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针对等效电路模型中应用频率范围窄、精度低以及在高频器件分析过程中与网络分析法的兼容性差等问题,由交流I-V方程出发,推导得到使用散射参数描述的锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的双端口网络参数模型.着重分析了Si/SiGe异质结和基区结构对器件交流性能的作用,并尽量避免省略物理量和对频率上限的限制.与等效电路模型相比,模型的频域精度由半定量提高至优于5%,并将适用频率由特定范围扩展至只计入本征参数时的特征频率fT,涵盖全部SiGe HBT的小信号工作频段,为器件的设计、优化和应用提供了一种宽频带和高精度的定量模拟方法.
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Source ：
北京工业大学学报
ISSN： 0254-0037
Year： 2006
Issue： 6
Volume： 32
Page： 506-509,513
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