Indexed by：
Abstract：
随着Ⅲ族氮化物半导体材料研究的发展,Ⅲ族氮化物的图形刻蚀技术也得到了广泛研究.对Ⅲ族氮化物的各种刻蚀技术进行了详细总结和对比,包括湿法腐蚀、RIE刻蚀、ICP刻蚀等,并对目前Ⅲ族氮化物刻蚀技术的研究热点进行了较为深刻的分析.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
半导体光电
ISSN： 1001-5868
Year： 2005
Issue： 4
Volume： 26
Page： 274-279
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： 5
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 11
Affiliated Colleges：
