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针对双列直插封装的大功率MCM,建立了简化的热学模型;利用有限元数值方法,在ANSYS软件平台下,对其三维温场进行了稳态模拟和分析.模拟结果与测量值的误差为4.5%,表明设定的模型与实际情况符合较好.模拟结果表明,对于金属DIP封装的MCM,内热通路主要沿芯片背面向外壳底表面传递.
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Source ：
微电子学
ISSN： 1004-3365
Year： 2005
Issue： 4
Volume： 35
Page： 371-374
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