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为了简化多电磁线圈MWECR-CVD装置,提出将单个电磁线圈和一个永磁体单元组合,以形成所需的新型磁场.这一磁场可使等离子体集聚于样片台上方,显著提高了等离子体的能量密度.应用这种新型磁场的MWECR-CVD装置沉积氢化非晶硅薄膜,与采用单电磁线圈或双电磁线圈时相比,薄膜沉积速度大幅度提高,沉积速度达到采用传统RF-PECVD装置时的数倍至十倍.
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Source ：
半导体学报
ISSN： 0253-4177
Year： 2004
Issue： 5
Volume： 25
Page： 530-534
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
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