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应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速率下沉积了a-Si:H薄膜,用FTIR红外谱仪研究a-Si:H薄膜的结构特性与衬底温度、氢稀释比、光学带隙的对应关系,并对2000cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析,获得了沉积高质量a-Si:H薄膜的最佳工艺条件.
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功能材料
ISSN： 1001-9731
Year： 2004
Issue： z1
Volume： 35
Page： 3148-3151
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
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WanFang Cited Count： 3
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