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对半绝缘GaAs晶片进行As+注入,注入能量为400keV,剂量为1016cm-2.用这种注入条件下的GaAs晶片作为吸收体和输出镜,在被动调Q闪光灯泵浦的Nd∶YAG激光器上获得了62ns的单脉冲宽度.这是迄今为止国内最好的报道结果.
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Source ：
半导体学报
ISSN： 0253-4177
Year： 2004
Issue： 2
Volume： 25
Page： 148-151
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