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对半绝缘 Ga As晶片进行 As+ 注入 ,注入能量为 4 0 0 ke V ,剂量为 10 1 6 cm- 2 .用这种注入条件下的 Ga As晶片作为吸收体和输出镜 ,在被动调 Q闪光灯泵浦的 Nd∶ YAG激光器上获得了 6 2 ns的单脉冲宽度 .这是迄今为止国内最好的报道结果 .
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Source ：
半导体学报
Year： 2004
Issue： 02
Page： 148-151
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