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本文研究了多孔硅衬底微波CVD金刚石薄膜的制备工艺及场电子发射特性。以多孔硅作为生长金刚石突起阵列的模板,生长出带多微尖的纳米金刚石晶粒,使场电子发射阈值下降(＜1V/μm),发射电流增大(＞90 mA/cm~2),场发射性能稳定。文中对这种场发射特性提出了理论解释。
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Year： 2002
Language： Chinese
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