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本文主要研究了制备参数和退火对ａ－Ｃ：Ｈ膜的光学性质的影响．得到了样品的吸收系数、光学带隙和带尾宽度等反映ａ－Ｃ：Ｈ膜电子能带结构的物理参数．结果表明，吸收系数随着衬底温度、射频偏压增加而上升，随反应室压强的升高而下降；光学带隙随衬底温度、射频偏压增加而下降，随反应室任强的升高而变宽随着退火温度Ｔａ的升高，氢含量减少，带尾变宽，带隙变窄．
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Source ：
半导体学报
Year： 1996
Issue： 11
Page： 846-851
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