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＜正＞ 采用反应溅射CrSi(W)-N法真空沉积高热阻率元素,在热印头的应用上已取得进展。对该膜系列的温度特性研究及利用dc和脉冲加载法作温度累积试验及步进应力试验而进行的加载研究均表明,特别是在诸如高电阻,低电阻温度系数(TCR)、高温
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国外金属热处理
Year： 1995
Issue： 03
Page： 51-59
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