Here　we　report　a　novel　ZnO　microtubular　homojunction　photodiode　(PD)　fabricated　by　optical　vapor　supersaturated　precipitation　(OVSP)　and　sputtering　methods.　The　acceptor-rich　ZnO　(A-ZnO)　microtube　grown　by　OVSP　possesses　a　great　UV-visible　rejection　ratio　of　similar　to　3.77　and　a　high　external　quantum　yield　of　1.4　x　10(3)%.　The　formed　A-ZnO/n-ZnO　homojunction　UV-PD　realizes　an　ultrafast　photoresponse　down　to　6　ms　(three　orders　of　magnitude　faster)　and　boosts　the　sensitivity　by　2.6-folds　with　respect　to　the　bare　A-ZnO　microtube.　It　is　beneficial　for　weak-signal　UV　detection　down　to　the　threshold　of　0.4　mW/cm(2)　under　random　excitation　conditions,　by　which　the　detectivity　up　to　6.67　x　10(12)　cmHz(1/2)/W　is　achieved.　The　ZnO　microtubular　homojunction　paves　a　new　way　for　design　of　high-performance　wide-bandgap　semiconductor　UV-PDs,　promoting　their　practical　applications　in　future.　(C)　2021　Elsevier　B.V.　All　rights　reserved.