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一种硅晶圆多步变参数粗磨削方法，属于硅晶圆磨削加工领域。本发明包括下列步骤：将磨削力产生分为两个机制：摩擦作用力和切屑形成作用力；根据赫兹接触理论和切屑形成理论建立了磨削力模型Fnt；实验测量了9种磨削工艺下硅晶圆的亚表面裂纹深度h，将裂纹深度与总的磨削力Fnt的三分之二次幂进行线性拟合，得到裂纹深度的预测模型h＝0.223(Fnt)2/3+8.57。根据裂纹深度预测值，提出了硅晶圆多步变参数粗磨削方法。此方法可保证磨削效率和提高硅晶圆的磨削质量，同时降低时间和成本消耗。
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Type： 发明申请
Patent No.： CN201610405905.6
Filing Date： 2016-06-09
Publication Date： 2016-10-26
Pub. No.： CN106041660A
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 驳回
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