Indexed by：
Abstract：
本文使用射频磁控溅射法,采用双靶磁控溅射系统,通过Ga2O3和MgO两个靶位交替溅射的方法实现不同浓度Mg掺杂氧化镓薄膜的制备.结果发现随着Mg掺杂浓度的增加,薄膜的厚度逐渐减小且薄膜的结晶质量有所下降,光透过率无明显变化,但带隙宽度逐渐增加,可实现Ga2O3薄膜带隙宽度的连续可调,可调范围从4.96eV到5.21eV;光致发光光谱实验结果表明Mg的掺杂导致PL峰值发生蓝移现象,且在473nm附近出现一个新的发光峰.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
真空
ISSN： 1002-0322
Year： 2018
Issue： 6
Volume： 55
Page： 68-72
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： -1
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 0
Affiliated Colleges：
