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基于温度步进应力实验,研究了AlGaN/GaN HEMT器件在不同温度应力下的退化规律及退化机理。实验发现:在结温为139~200℃时,AlGaN/GaN HEMT器件的漏源电流随退化时间逐渐减小;而在结温为200~352℃时,漏源电流随退化时间逐渐增大。分析表明:结温低于200℃时,AlGaN施主原子的离化导致肖特基势垒高度升高;而在结温高于200℃时,表面氧杂质的扩散导致肖特基势垒高度逐渐降低。通过计算肖特基势垒高度,进一步定量的验证势垒高度的变化。而势垒高度的变化又引起阈值电压的漂移,进而影响漏源电流的变化。因此漏源电流的退化主要是由于势垒高度的变化引起的。
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半导体技术
Year： 2016
Issue： 08
Volume： 41
Page： 636-639
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