Indexed by：
Abstract：
通过采集等功率的两种不同开态直流应力作用下Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管(HEMTs)漏源电流输出特性、源区和漏区大信号寄生电阻、转移特性、阈值电压随应力时间的变化,并使用光发射显微镜观察器件漏电流情况,研究了开态应力下电压和电流对Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管的退化作用.结果表明,低电压大电流应力下器件退化很少,高电压大电流下器件退化较明显.高电压是HEMTs退化的主要因素,栅漏之间高电场引起的逆压电效应对参数的永久性退化起决定性作用.除此之外,器件表面损坏部位的显微图像表明低电压大电流下器件失效是由于局部电流密度过高,出现热斑导致器件损伤引起的.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
物理学报
Year： 2015
Issue： 12
Volume： 64
Page： 371-375
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 7
Affiliated Colleges：
