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实现了一款低功耗的宽带低噪声放大器( LNA)。该低噪声放大器由三级电路组成,由于每一级都采用了电流复用技术,显著地降低了功耗。在电路中产生负零点来抵消极点,提高增益平坦度。低Q值电路拓展带宽。经0.18μm TSMC CMOS工艺仿真验证,在3 V的电源电压下,功耗仅为4.89 mW。另外在1 GHz~4.5 GHz频带范围内,电压增益( S21)为(14.8±0.4)dB,噪声系数(NF)介于3.1 dB~4.2 dB之间,输入、输出反射系数(S11、S22)均小于-10 dB。在4 GHz时,输入三阶交调点(IIP3)达到-11 dBm。结果表明该LNA性能良好。
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电子器件
ISSN： 1005-9490
Year： 2014
Issue： 5
Page： 908-911
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