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采用TSMC 0.18μm CMOS工艺库,设计并验证了一种应用于3.1~10.6GHz频段的超宽带低噪声放大器。该放大器分为两级:采用跨导增强技术的共栅结构作为输入级,实现了输入阻抗匹配,提高了增益并降低了噪声;第二级是放大输出级,由两个共源放大管和源跟随器缓冲管构成,并采用两级电流复用配置将它们连接在一起,不但对信号进行了二次放大,降低了功耗,而且实现了输出匹配。仿真结果表明,在3.1~10.6GHz频带范围内,放大器增益为14.8dB,增益平坦度为!0.6dB,噪声系数介于2.9~4.5dB,输入和输出的回波损耗均优于-11dB,1dB压缩点为-20.8dBm,在1.8V电压下,静态功耗...
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Source ：
微电子学
Year： 2014
Issue： 06
Volume： 44
Page： 737-740,745
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