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用来制作光电子器件的(Al_(0.1)Ga_(0.9))_(0.5)In_(0.5)为直接带隙的四元合金材料,对应的发光波长为630nm,在其LP-MOCVD(low press-metalorganic chemical vapor deposition)外延生长过程中温度的高低成为影响其质量的关键,找到合适的生长温度窗口很有必要.实验中分别在700C,680C,670C和660C的条件下生长出作为发光二极管有源区的(Al_(0.1)Ga_(0.9))_(0.5)In_(0.5)多量子阱结构,通过PL谱的测试对比分析,找出最佳生长温度在670C附近.之后对比各外延片的PL谱、表面形貌,并对反...
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物理学报
Year： 2013
Issue： 02
Volume： 62
Page： 510-514
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