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设计并用MOCVD在GaAs衬底上分别生长了以34对AlAs/Al0.5Ga0.5As材料为下DBR,6对(Al0.3Ga0.7)05In05P/AlInP材料为上DBR.以及有源区为3个GalnP/(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P量子阱的外延片.设计了以SiO2做阻挡层,并且深腐蚀过有源区的台形RCLED的工艺结构,利用光刻、腐蚀、等离子化学气相沉淀(PECVD)以及溅射等工艺,成功制备了波长为650 nm的谐振腔发光二极管(RCLED),并对其性能进行了测试.通过与普通LED相比较发现,RCLED不仅具备更强的轴向光强和更高的提取效率,而且具有更窄的光谱线宽、更小的发散角、更好的发射方向性,利于与塑料光纤进行耦合.
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固体电子学研究与进展
ISSN： 1000-3819
Year： 2010
Issue： 4
Volume： 30
Page： 611-614
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