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多片嵌入式SRAM的测试一般由存储器内建自测试MBIST设计来完成.为了迎接多片SRAM的测试给DFT设计带来的挑战.文中以一款基于SMIC 0.13um工艺的OSD显示芯片为例,从覆盖率、面积、测试时间、功耗等方面分析了多片SRAM的MBIST设计,提出了一种可实现多片SRAM的快速高效可测试设计实现方法.
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电子元器件应用
ISSN： 1563-4795
Year： 2010
Issue： 7
Volume： 12
Page： 29-31
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