It　has　been　a　challenge　to　fully　understand　the　structural　characteristics　of　laser-irradiation　induced　amorphous　(L-a)　Ge2Sb2Te5　(GST)　alloy　due　to　the　difficulties　of　collecting　diffraction　data　from　high　purity　specimens.　In　this　paper,　by　fabricating　GST　thin　films　on　different　substrates,　we　exhibit　an　effective　way　of　preparing　L-a　GST　dots　in　submicron　scale　on　various　types　of　specially　designed　transmission　electron　microscope　(TEM)　grids.　The　structural　characteristics　of　L-a　GST　in　the　form　of　pair　distribution　functions　(PDF)　can　be　achieved　on　single　dots　of　L-a　GST　via　selected　area　electron　diffraction　(SAED).　This　general　approach　would　be　convenient　for　precisely　producing　laser-irradiation　induced　materials　in　submicron　scale　for　structural　investigation.