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新型CoolMOS~(TM) 650V CFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势,包括高达650V阻断电压、极低的R_(dson)、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程,特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高,将介绍列入参数表的Q_(rr)和t_(rr)的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这种具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点,在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。
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Source ：
电力电子
Year： 2010
Issue： 05
Volume： 8
Page： 45-47,44
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