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为了研究等离子体处理对ICP刻蚀损伤的恢复效果,将多个样品放置于不同温度的等离子体增强化学气相沉积样品台上,通过改变射频源功率,分别使用N2、N20和NH3等离子体对GaN发光二极管进行处理.研究结果表明,在100℃、20W的射频功率条件下,用N20等离子体处理GaN发光二极管可以极大地改善器件的光电特性;用N2等离子体处理GaN发光二极管可以使器件的光电特性得到微弱改善;但是使用NH3等离子体处理GaN发光二极管,会使其光电特性明显恶化.
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北京工业大学学报
ISSN： 0254-0037
Year： 2008
Issue： 7
Volume： 34
Page： 682-687
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