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张跃宗 (张跃宗.) | 冯士维 (冯士维.) (Scholars:冯士维) | 张弓长 (张弓长.) | 王承栋 (王承栋.) | 吕长志 (吕长志.)

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CQVIP PKU CSCD

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研究了在高温工作环境下Ti/Al/Ni/Au(15nm/220nm/40nm/50nm)四层复合金属层与n-GaN的欧姆接触的高温工作特性.退火后样品在500℃高温下工作仍能显示出良好的欧姆接触特性;接触电阻率随测量温度的增加而增大,且增加幅度与掺杂浓度有密切关系.掺杂浓度越高,其接触电阻率随测量温度的升高而增加越缓慢;重掺杂样品的Ti/Al/Ni/Au-n-GaN欧姆接触具有更佳的高温可靠性;当样品被施加500℃,1h的热应力后,其接触电阻率表现出不可恢复性增加.

Keyword:

接触电阻率 退火 欧姆接触 高温

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  • [ 1 ] [张跃宗]北京工业大学
  • [ 2 ] [冯士维]北京工业大学
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  • [ 4 ] [王承栋]北京工业大学
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Source :

半导体学报

ISSN: 0253-4177

Year: 2007

Issue: 6

Volume: 28

Page: 984-988

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