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InP盖层对光的吸收及入射光在探测器多界面间的多次反射,使InP层对InGaAs/InP PIN探测器的响应度产生了很大的影响.本文测量了正面和背面入光PIN探测器的响应度,并与测量的InP晶片透射率及模拟的透射率进行比较,分析了InP层对正面及背面入光PIN探测器响应度的影响.结果表明,随着InP层厚度的增加,响应度峰与峰的间隔(△)(λ)不断减小,波形越来越密集.所以正面入光探测器的响应度起伏比较明显,且随着InP层厚度的增加,响应度极值对应的波长发生红移.背面入光探测器的响应度非常密集而成为准连续的带状.
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光电工程
ISSN： 1003-501X
Year： 2006
Issue： 12
Volume： 33
Page： 141-144
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