Abstract：
分析了影响探测器响应度的各因素,在此基础上设计了 InGaAs/InP PIN 探测器的外延材料结构并优化了增透膜厚度和 p-InP 区欧姆接触电极图形的设计,以达到提高响应度的目的。采用 MOCVD 技术和闭管扩散等工艺制备了器件并测量了其响应度。结果显示,器件的光谱响应范围为1000～1600nm,在1500nm 激光的辐照下,5V 反向偏压时器件的响应度可达0．95 A/W 以上。
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Year： 2007
Language： Chinese
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