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利用自洽迭代数值计算方法,对多发射极微波功率SiGe HBT芯片热电耦合特性进行了模拟和分析.结果表明,通过对晶体管发射极条长、条间距的调整,可以有效地改善芯片温度分布的不均匀性,提高晶体管的热稳定性和功率处理能力.
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Source ：
微电子学
ISSN： 1004-3365
Year： 2006
Issue： 5
Volume： 36
Page： 591-594
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